ชื่อบทความ |
Studying steady state one-dimensional p-n junction using finite element method |
วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ |
1 มีนาคม 2553 |
วารสาร |
ชื่อวารสาร |
KKU Research Journal |
มาตรฐานของวารสาร |
|
หน่วยงานเจ้าของวารสาร |
Khon Kaen University Khon Kaen, Thailand. |
ISBN/ISSN |
0859-3957 |
ปีที่ |
15 |
ฉบับที่ |
3 |
เดือน |
March |
ปี พ.ศ. ที่พิมพ์ |
2553 |
หน้า |
187-201 |
บทคัดย่อ |
We have implemented a computer program that solved semiconductor device equations using the finite element method. A set of three coupled equations, (i) Poisson's equation, (ii) electron continuity equation, and (iii) hole continuity equation were solved iteratively using Gummel's method. The numerical method used was based on the Galerkin finite element scheme. Upon finding the solutions, the algorithm provided us with important information relevant to semiconductor devices such as electric field, potential, and carrier concentration within the device. In addition, I-V characteristic for the semiconductor device could be calculated. We simulated a representative case: p-n junction diode. The results were in good agreement with previously published studies by De Mari. |
คำสำคัญ |
finite element method, p-n junction, Gummel's method |
ผู้เขียน |
|
การประเมินบทความ |
มีผู้ประเมินอิสระ |
สถานภาพการเผยแพร่ |
ตีพิมพ์แล้ว |
วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ |
ชาติ |
citation |
มี |
เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
แนบไฟล์ |
|
Citation |
0
|
|