| ชื่อบทความที่เผยแพร่ |
Simulation of steady state two-dimensional p-n junction using finite element method |
| วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ |
23 มีนาคม 2554 |
| การประชุม |
| ชื่อการประชุม |
Siam Physics Congress SPC2011 |
| หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม |
THAI PHYSICS SOCIETY |
| สถานที่จัดประชุม |
Ambassador City Jomtien Hotel, Pattaya, Thailand |
| จังหวัด/รัฐ |
Pattaya |
| ช่วงวันที่จัดประชุม |
23 มีนาคม 2554 |
| ถึง |
26 มีนาคม 2554 |
| Proceeding Paper |
| Volume (ปีที่) |
6 |
| Issue (เล่มที่) |
1 |
| หน้าที่พิมพ์ |
155 |
| Editors/edition/publisher |
|
| บทคัดย่อ |
We have implemented a computer program that solved semiconductor device equations using the finite element method. A set of three coupled equations, (i) Poisson’s equation, (ii) electron continuity equation, and (iii) hole continuity equation were solved iteratively using Gummel’s method. The numerical method used was based on the Galerkin finite element scheme. Upon finding the solutions, the algorithm provided us with important information relevant to semiconductor devices such as potential, and carrier concentration within the device. We simulated two-dimensional p-n junction. The results were in good agreement with previously published studies by De Mari (finite difference method) and Jehsu (finite element method). They simulated steady state one-dimensional p-n junctions. |
| ผู้เขียน |
|
| การประเมินบทความ (Peer Review) |
มีผู้ประเมินอิสระ |
| มีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
| รูปแบบ Proceeding |
Abstract |
| รูปแบบการนำเสนอ |
Poster |
| เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
| ผลงานที่นำเสนอได้รับรางวัล |
ไม่ได้รับรางวัล |
| แนบไฟล์ |
|
| Citation |
0
|
|
|
ข้อมูลการเผยแพร่ผลงาน
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ
English