| ชื่อบทความที่เผยแพร่ |
Giant dielectric properties with excellent temperature stability of (Ga0.5Nb0.5)xTi1-xO2 ceramics
|
| วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ |
25 พฤษภาคม 2560 |
| การประชุม |
| ชื่อการประชุม |
Siam physics congress |
| หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม |
Siam physics society |
| สถานที่จัดประชุม |
Rayong |
| จังหวัด/รัฐ |
Rayong |
| ช่วงวันที่จัดประชุม |
24 พฤษภาคม 2560 |
| ถึง |
26 พฤษภาคม 2560 |
| Proceeding Paper |
| Volume (ปีที่) |
2016 |
| Issue (เล่มที่) |
1 |
| หน้าที่พิมพ์ |
81 |
| Editors/edition/publisher |
|
| บทคัดย่อ |
In this work, we investigate the giant dielectric properties of (Ga0.5Nb0.5)xTi1-xO2(where x=0.01,
0.025, 0.05 and 0.1) prepared by a solid state reaction method.The phase composition,microstructure,and
oxidation statesare characterized by X-ray diffraction, field-emission scanning electron microscopy
and X-ray photoelectron spectroscopy, respectively.The single phase of rutile-TiO2with dense microstructure
are obtained in all sintered (Ga0.5Nb0.5)xTi1-xO2ceramics. The existence of Ti3+
and oxygen vacancies are confirmed. The dielectric constant increased with increasing co-doping
(Ga+Nb)concentration. Excellent dielectric properties are obtained in the (Ga0.5Nb0.5)xTi1-xO2ceramic
with x= 0.1 sintered at 1550oC for 1h.Low dielectric loss tangent (< 0.05) and very large dielectric
constant (e = 41267) with excellent temperature coefficient (<15%) in the range of -70 to 170 oC are
achieved. The giant dielectric response over a broad temperature range of the (Ga0.5Nb0.5)xTi1-
xO2ceramics is primarily attributed to the interfacial polarization at internal insulating interfaces. |
| ผู้เขียน |
|
| การประเมินบทความ (Peer Review) |
ไม่มีผู้ประเมินอิสระ |
| มีการเผยแพร่ในระดับ |
ชาติ |
| รูปแบบ Proceeding |
Abstract |
| รูปแบบการนำเสนอ |
Oral |
| เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
| ใช้สำหรับสำเร็จการศึกษา |
ไม่เป็น |
| ผลงานที่นำเสนอได้รับรางวัล |
ไม่ได้รับรางวัล |
| แนบไฟล์ |
|
| Citation |
0
|
|
|
ข้อมูลการเผยแพร่ผลงาน
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ
English