|
|
ข้อมูลการเผยแพร่ผลงาน
|
| ชื่อบทความ |
The DFT Study of Electronic and Optical Properties of the Surface Functional SiGe, GeSn and GeSn Nanostructures |
| วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ |
20 เมษายน 2563 |
| วารสาร |
| ชื่อวารสาร |
chiangmai journal of science |
| มาตรฐานของวารสาร |
ISI |
| หน่วยงานเจ้าของวารสาร |
chiangmai university |
| ISBN/ISSN |
|
| ปีที่ |
47 |
| ฉบับที่ |
4 |
| เดือน |
กรกฎาคม |
| ปี พ.ศ. ที่พิมพ์ |
2563 |
| หน้า |
796-814 |
| บทคัดย่อ |
The electronic and optical properties of Si, Ge, and Sn nanostructures are widely studied for various applications, including drug delivery, cell imaging, biosensing and biomedical. This work considers the effect on electronic and optical properties of SiGe, SiSn and GeSn nanostructures by varying the surface functional and the structure size. The considered structures are about spherical-shaped, with a zinc-blende crystal structure, and H, O+H, OH, and NH2-capped. The optimized structures and their absorption energies are calculated by density functional theory (DFT) and time-dependent density functional theory TD-DFT techniques. In all calculations, the B3LYP and 6-31g basis are used for investigation of electronic and optical properties for SiGe nanostructures, while the LanL2DZ is used for SiSn and GeSn nanostructures. The results show that the optical gap depends not only on the size but also on the terminations on the nanostructure surface. This dependence allows for the possibility of electronic and optical gap engineering. |
| คำสำคัญ |
Optical Properties, Electronic circular dichroism (ECD), TD-DFT, Surface Functional SiGe, GeSn and GeSn, SiGe, GeSn and GeSn Nanostructures |
| ผู้เขียน |
|
| การประเมินบทความ |
มีผู้ประเมินอิสระ |
| สถานภาพการเผยแพร่ |
ได้รับการตอบรับให้ตีพิมพ์ |
| วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
| citation |
ไม่มี |
| เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
| แนบไฟล์ |
|
| Citation |
0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ
English