| ชื่อบทความที่เผยแพร่ |
Shrinking Size Effects of TMR and CPP-GMR Heads: Failure Phenomena Caused by Electrostatic Discharge Aspects |
| วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ |
9 มกราคม 2555 |
| การประชุม |
| ชื่อการประชุม |
The 4th International Data Storage Technology Conference |
| หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม |
The Board of Investment of Thailand (BOI), National Science and Technology Development Agency (NSTDA), Hard Disk Drive Institute (HDDI), I/U CRC in HDD Component |
| สถานที่จัดประชุม |
IMPACT Convention Center (Hall 9) Muangthong Thani |
| จังหวัด/รัฐ |
Nonthaburi |
| ช่วงวันที่จัดประชุม |
9 มกราคม 2555 |
| ถึง |
10 มกราคม 2555 |
| Proceeding Paper |
| Volume (ปีที่) |
2011 |
| Issue (เล่มที่) |
- |
| หน้าที่พิมพ์ |
252-255 |
| Editors/edition/publisher |
|
| บทคัดย่อ |
This work presents the tolerance of TMR and CPP-GMR heads to ESD events when the sizes of both reader technologies are shrinking. The shrinking size effect actually indicates the growth of AD targeting to Tb/in2. Blocking temperature, melting temperature, and electric field breakdown of the oxide layer are the key parameters for investigation upon the temperature increment of TMR and CPP-GMR heads caused by ESD current. The investigation was carried out by using a finite element analysis, solver and simulation software. The results reveal that at 30% shrinking size, TMR is 15% less tolerance to ESD phenomena than CPP-GMR technology for the case of hard failure. On the other hand, CPP-GMR is approximately 10% more sensitive to ESD event than TMR technology for the case of soft failure case. |
| ผู้เขียน |
|
| การประเมินบทความ (Peer Review) |
มีผู้ประเมินอิสระ |
| มีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
| รูปแบบ Proceeding |
Full paper |
| รูปแบบการนำเสนอ |
Oral |
| เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
| ผลงานที่นำเสนอได้รับรางวัล |
ไม่ได้รับรางวัล |
| แนบไฟล์ |
|
| Citation |
0
|
|
|
ข้อมูลการเผยแพร่ผลงาน
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ
English