| ชื่อบทความ |
Static Voltage Stability Margin Enhancement using Shunt Capacitor, SVC and STATCOM |
| วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ |
6 เมษายน 2558 |
| วารสาร |
| ชื่อวารสาร |
Applied Mechanics and Materials |
| มาตรฐานของวารสาร |
SCOPUS |
| หน่วยงานเจ้าของวารสาร |
Trans Tech Publications Inc |
| ISBN/ISSN |
978-3-03835-505-2 |
| ปีที่ |
|
| ฉบับที่ |
|
| เดือน |
|
| ปี พ.ศ. ที่พิมพ์ |
2558 |
| หน้า |
|
| บทคัดย่อ |
This paper presents the study of static voltage stability margin enhancement using shunt
capacitor, SVC and STATCOM. AC and DC representations of shunt compensation devices are
used in the continuation power flow process. The best location and optimal sizing techniques of
reactive power support devices are proposed for enhancing the static voltage stability margin.
Various analyzed approaches including voltage profiles, PV curves, real power losses and reactive
power losses are used to verify the effectiveness of the devices. The study has been carried out on
the IEEE 14 bus test system. |
| คำสำคัญ |
static voltage stability, shunt capacitor, SVC, STATCOM |
| ผู้เขียน |
|
| การประเมินบทความ |
มีผู้ประเมินอิสระ |
| สถานภาพการเผยแพร่ |
ตีพิมพ์แล้ว |
| วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
| citation |
มี |
| เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
| แนบไฟล์ |
|
| Citation |
0
|
|
|
ข้อมูลการเผยแพร่ผลงาน
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ
English