| ชื่อบทความที่เผยแพร่ |
Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Interlayer for Low Reset Current by Finite Element Modeling |
| วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ |
21 มิถุนายน 2551 |
| การประชุม |
| ชื่อการประชุม |
Moscow International Symposium on Magnetism (MISM) |
| หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม |
Faculty of Physics, Moscow State University, Russia |
| สถานที่จัดประชุม |
Faculty of Physics, Moscow State University M.V. Lomonosov MSU, Russia |
| จังหวัด/รัฐ |
Moscow |
| ช่วงวันที่จัดประชุม |
21 มิถุนายน 2551 |
| ถึง |
25 มิถุนายน 2551 |
| Proceeding Paper |
| Volume (ปีที่) |
- |
| Issue (เล่มที่) |
21PO-21-23 |
| หน้าที่พิมพ์ |
182 |
| Editors/edition/publisher |
N. Perov, V. Samsonova and A. Semisalova |
| บทคัดย่อ |
|
| ผู้เขียน |
|
| การประเมินบทความ (Peer Review) |
มีผู้ประเมินอิสระ |
| มีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
| รูปแบบ Proceeding |
Abstract |
| รูปแบบการนำเสนอ |
Poster |
| เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
| ใช้สำหรับสำเร็จการศึกษา |
ไม่เป็น |
| ผลงานที่นำเสนอได้รับรางวัล |
ไม่ได้รับรางวัล |
| แนบไฟล์ |
|
|
ไฟล์ก่อนปรับปรุงเป็นแบบใหม่ |
|
| Citation |
0
|
|
|
ข้อมูลการเผยแพร่ผลงาน
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ
English