ประวัตินักศึกษาบัณฑิตวิทยาลัย

ทะเบียนนักศึกษา
รหัสประจำตัวนักศึกษา 507040015-7  ระดับการศึกษา ปริญญาเอก ภาคปกติ  ชือนามสกุล(ไทย) นาย สันชัย หาญสูงเนิน ชือนามสกุล(อังกฤษ) Mr. SANCHAI HARNSOONGNOEN     คณะ คณะวิศวกรรมศาสตร์  แผนการศึกษา วิศวกรรมไฟฟ้า แบบ 1(2)  ความสามารถทาง ภาษาต่างประเทศ ผ่าน (ประกาศ บว.ฉบับที่ 98/53 ลงวันที่ 14 ก.ย.53)  สถานภาพ 40  สำเร็จการศึกษา

 
 

ดุษฎีนิพนธ์

ชื่อดุษฎีนิพนธ์(ไทย) การศึกษาหน่วยความจำเปลี่ยนเฟสด้านการหาโครงสร้างที่เหมาะสมที่สุด การสร้างแบบจำลองทางไฟฟ้าและผลกระทบจากการคายประจุไฟฟ้าสถิต  ชื่อดุษฎีนิพนธ์(อังกฤษ) OPTIMIZATION OF STRUCTURE DESIGN, ELECTRICAL MODELING, AND ESD EFFECTS OF PHASE CHANGE MEMORY  รายละเอียด   รายการติดตาม D อนุมัติเค้าโครง 14 พฤษภาคม 2553 วันที่ได้รับอนุมัติเค้าโครงวิทยานิพนธ์ วันที่ส่งเล่มสมบูรณ์ 5 เมษายน 2554  สถานะการส่งเล่ม สิ้นสุดการตรวจ น.ศ.รับไปเข้าเล่มแล้ว D A= นักศึกษารับกลับไปแก้ไขแล้ว, B=ให้นักศึกษารับกลับไปแก้ไข, C=ให้นักศึกษารับไปเข้าเล่ม, D=นักศึกษารับไปเข้าเล่มแล้ว

 
 

อาจารย์ที่ปรึกษา
อาจารย์ที่ปรึกษา รศ.ดร. จีรนุช เสงี่ยมศักดิ์ คำสั่งคณะวิศวะฯ ที่ 329/2551 ลว. 9 มิถุนายน 2551 อาจารย์ที่ปรึกษาร่วม -

 
 
 
 

การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ 1

ชื่อบทความ Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Interlayer for Low Reset Current by Finite Element Modeling   ชื่อวารสาร Solid State Phenomena  หน่วยงานเจ้าของวารสาร Trans Tech Publications, Switzerland  ISBN/ISSN 1662-9779   วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ 16 September 2008  ปีที่ 2009  ฉบับที่ 152-153  เดือน   ปี ค.ศ. ที่พิมพ์ 2009  หน้า 399-402  การประเมินบทความ มีผู้ประเมินอิสระ  สถานภาพการเผยแพร่ ตีพิมพ์แล้ว  วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ

การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ 2

ชื่อบทความ OPTIMIZATION OF PHASE CHANGE MEMORY WITH THIN METAL INSERTED LAYER ON MATERIAL PROPERTIES   ชื่อวารสาร International Journal of Modern Physics B (IJMPB)  หน่วยงานเจ้าของวารสาร World Scientific Publishing Co.  ISBN/ISSN online:1793-6578 , print:0217-9792  วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ 30 September 2008  ปีที่ 2009  ฉบับที่ 17  เดือน July  ปี ค.ศ. ที่พิมพ์ 2009  หน้า 3625-3630  การประเมินบทความ มีผู้ประเมินอิสระ  สถานภาพการเผยแพร่ ตีพิมพ์แล้ว  วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ

การเผยแพร่ในรูปการประชุมวิชาการ 1

ชื่อผลงานที่นำเสนอ Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Interlayer for Low Reset Current by Finite Element Modeling  วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ 21 มิถุนายน 2551  ชื่อการประชุม Moscow International Symposium on Magnetism (MISM)  วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม 21 มิถุนายน 2551 ถึง 25 มิถุนายน 2551  หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม Faculty of Physics, Moscow State University, Russia   สถานที่จัดประชุม Faculty of Physics, Moscow State University M.V. Lomonosov MSU, Russia  จังหวัด/รัฐ Moscow  Proceeding Paper Volume -  Proceeding Paper Issue 21PO-21-23  Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ 182  Proceeding Paper Editors/edition/publisher N. Perov, V. Samsonova and A. Semisalova  การประเมินบทความ (Peer Review) มีผู้ประเมินอิสระ  มีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ  รูปแบบการนำเสนอ Poster  รูปแบบ Proceeding Abstract

การเผยแพร่ในรูปการประชุมวิชาการ 2

ชื่อผลงานที่นำเสนอ Confined-Chalcogenide Based Double-Heater Phase Change Memory with Metal Oxide Capped for Low-Current Consumption  วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ 7 กรกฎาคม 2552  ชื่อการประชุม ITC-CSCC2009  วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม 5 กรกฎาคม 2552 ถึง 8 กรกฎาคม 2552  หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม the IEICE (Engineering Sciences Society and Electronics Society), the IEEK, and the Electrical Engineering/Electronics, Computer, Telecommunications and Information Association,Thailand.  สถานที่จัดประชุม Jeju KAL Hotel, Jeju, Korea  จังหวัด/รัฐ   Proceeding Paper Volume -  Proceeding Paper Issue -  Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ 847-850  Proceeding Paper Editors/edition/publisher General Chair : Kukjin Chun (Seoul National University, Korea), General Co-Chairs : Masayoshi Ohashi (ATR Media Information Science Laboratories, Japan) and Masayoshi Ohashi (ATR Media Information Science Laboratories, Japan)  การประเมินบทความ (Peer Review) มีผู้ประเมินอิสระ  มีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ  รูปแบบการนำเสนอ Oral  รูปแบบ Proceeding Full paper

การเผยแพร่ในรูปการประชุมวิชาการ 3

ชื่อผลงานที่นำเสนอ Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Oxide Interlayer for Low Reset Current Operation  วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ 7 พฤษภาคม 2552  ชื่อการประชุม ECTI-CON 2009  วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม 6 พฤษภาคม 2552 ถึง 9 พฤษภาคม 2552  หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม Electrical Engineering/Electronics, Computer, Telecommunications and Information Technology (ECTI) Association, Thailand.  สถานที่จัดประชุม Ambassador City Jomtien Pattaya, Pattay, Thailand  จังหวัด/รัฐ   Proceeding Paper Volume -  Proceeding Paper Issue -  Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ -  Proceeding Paper Editors/edition/publisher Monai Krairiksh  การประเมินบทความ (Peer Review) มีผู้ประเมินอิสระ  มีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ  รูปแบบการนำเสนอ Oral  รูปแบบ Proceeding Full paper

การเผยแพร่ในรูปการประชุมวิชาการ 4 (ร่วมเขียน)

ชื่อผลงานที่นำเสนอ Comparison on the performance of the confined-chacogenide with thin metal interlayer and optimised lateral phase change memories  วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ 12 ธันวาคม 2554  ชื่อการประชุม The 18th IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems, ICECS 2011  วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม 11 ธันวาคม 2554 ถึง 14 ธันวาคม 2554  หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม IEEE Circuits and Systems Society  สถานที่จัดประชุม Crowne Plaza Hotel Beirut, Lebanon  จังหวัด/รัฐ   Proceeding Paper Volume 18  Proceeding Paper Issue 978-1-4577-1844-1  Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ 176 - 179  Proceeding Paper Editors/edition/publisher   การประเมินบทความ (Peer Review) มีผู้ประเมินอิสระ  มีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ  รูปแบบการนำเสนอ Oral  รูปแบบ Proceeding Full paper