2009-2015 ©
Record not found.
             ประวัตินักศึกษาบัณฑิตวิทยาลัย
ทะเบียนนักศึกษา
รหัสนักศึกษา 507040015-7  ระดับการศึกษา ปริญญาเอก ภาคปกติ 
ชือนามสกุล(ไทย) นาย สันชัย หาญสูงเนิน ชือนามสกุล(อังกฤษ) Mr. SANCHAI HARNSOONGNOEN
ภาควิชา/สาขาวิชา/กลุ่มวิชา ไฟฟ้า  คณะ คณะวิศวกรรมศาสตร์ 
แผนการศึกษา วิศวกรรมไฟฟ้า แบบ 1(2)  ความสามารถทาง ภาษาต่างประเทศ ผ่าน (ประกาศ บว.ฉบับที่ 98/53 ลงวันที่ 14 ก.ย.53) 
สถานภาพ 40  สำเร็จการศึกษา      
 
 
ดุษฎีนิพนธ์
ชื่อดุษฎีนิพนธ์ (ไทย) การศึกษาหน่วยความจำเปลี่ยนเฟสด้านการหาโครงสร้างที่เหมาะสมที่สุด การสร้างแบบจำลองทางไฟฟ้าและผลกระทบจากการคายประจุไฟฟ้าสถิต 
ชื่อดุษฎีนิพนธ์ (อังกฤษ) OPTIMIZATION OF STRUCTURE DESIGN, ELECTRICAL MODELING, AND ESD EFFECTS OF PHASE CHANGE MEMORY 
รายละเอียด  
รายการติดตาม
D อนุมัติเค้าโครง 14 พฤษภาคม 2553 วันที่ได้รับอนุมัติเค้าโครงวิทยานิพนธ์
วันที่ส่งเล่มสมบูรณ์ 5 เมษายน 2554 
สถานะการส่งเล่ม สิ้นสุดการตรวจ น.ศ.รับไปเข้าเล่มแล้ว (Ready to return for binding) D
A= นักศึกษารับกลับไปแก้ไขแล้ว, B=ให้นักศึกษารับกลับไปแก้ไข, C=ให้นักศึกษารับไปเข้าเล่ม, D=นักศึกษารับไปเข้าเล่มแล้ว
 
 
อาจารย์ที่ปรึกษา
อาจารย์ที่ปรึกษา
รศ.ดร. จีรนุช เสงี่ยมศักดิ์ คำสั่งคณะวิศวะฯ ที่ 329/2551 ลว. 9 มิถุนายน 2551
อาจารย์ที่ปรึกษาร่วม
-
 
 
 
 
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ 1
ชื่อบทความ Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Interlayer for Low Reset Current by Finite Element Modeling  
ชื่อวารสาร Solid State Phenomena 
หน่วยงานเจ้าของวารสาร Trans Tech Publications, Switzerland 
ISBN/ISSN 1662-9779   วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ 16 September 2008 
ปีที่ 2009  ฉบับที่ 152-153 
เดือน   ปี พ.ศ. ที่พิมพ์ 2009 
หน้า 399-402  การประเมินบทความ มีผู้ประเมินอิสระ 
สถานภาพการเผยแพร่ ตีพิมพ์แล้ว  วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ 

การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ 2
ชื่อบทความ OPTIMIZATION OF PHASE CHANGE MEMORY WITH THIN METAL INSERTED LAYER ON MATERIAL PROPERTIES  
ชื่อวารสาร International Journal of Modern Physics B (IJMPB) 
หน่วยงานเจ้าของวารสาร World Scientific Publishing Co. 
ISBN/ISSN online:1793-6578 , print:0217-9792  วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ 30 September 2008 
ปีที่ 2009  ฉบับที่ 17 
เดือน July  ปี พ.ศ. ที่พิมพ์ 2009 
หน้า 3625-3630  การประเมินบทความ มีผู้ประเมินอิสระ 
สถานภาพการเผยแพร่ ตีพิมพ์แล้ว  วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ 

การเผยแพร่ในรูปการประชุมวิชาการ 1
ชื่อบทความที่เผยแพร่ Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Interlayer for Low Reset Current by Finite Element Modeling 
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ 21 มิถุนายน 2551 
ชื่อการประชุม Moscow International Symposium on Magnetism (MISM) 
วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม 21 มิถุนายน 2551 ถึง 25 มิถุนายน 2551  หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม Faculty of Physics, Moscow State University, Russia  
สถานที่จัดประชุม Faculty of Physics, Moscow State University M.V. Lomonosov MSU, Russia  จังหวัด/รัฐ Moscow 
Proceeding Paper Volume Proceeding Paper Issue 21PO-21-23 
Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ 182  Proceeding Paper Editors/edition/publisher N. Perov, V. Samsonova and A. Semisalova 
การประเมินบทความ (Peer Review) มีผู้ประเมินอิสระ  มีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ 
รูปแบบการนำเสนอ Poster  รูปแบบ Proceeding Abstract 

การเผยแพร่ในรูปการประชุมวิชาการ 2
ชื่อบทความที่เผยแพร่ Confined-Chalcogenide Based Double-Heater Phase Change Memory with Metal Oxide Capped for Low-Current Consumption 
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ 7 กรกฎาคม 2552 
ชื่อการประชุม ITC-CSCC2009 
วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม 5 กรกฎาคม 2552 ถึง 8 กรกฎาคม 2552  หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม the IEICE (Engineering Sciences Society and Electronics Society), the IEEK, and the Electrical Engineering/Electronics, Computer, Telecommunications and Information Association,Thailand. 
สถานที่จัดประชุม Jeju KAL Hotel, Jeju, Korea  จังหวัด/รัฐ  
Proceeding Paper Volume Proceeding Paper Issue
Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ 847-850  Proceeding Paper Editors/edition/publisher General Chair : Kukjin Chun (Seoul National University, Korea), General Co-Chairs : Masayoshi Ohashi (ATR Media Information Science Laboratories, Japan) and Masayoshi Ohashi (ATR Media Information Science Laboratories, Japan) 
การประเมินบทความ (Peer Review) มีผู้ประเมินอิสระ  มีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ 
รูปแบบการนำเสนอ Oral  รูปแบบ Proceeding Full paper 

การเผยแพร่ในรูปการประชุมวิชาการ 3
ชื่อบทความที่เผยแพร่ Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Oxide Interlayer for Low Reset Current Operation 
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ 7 พฤษภาคม 2552 
ชื่อการประชุม ECTI-CON 2009 
วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม 6 พฤษภาคม 2552 ถึง 9 พฤษภาคม 2552  หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม Electrical Engineering/Electronics, Computer, Telecommunications and Information Technology (ECTI) Association, Thailand. 
สถานที่จัดประชุม Ambassador City Jomtien Pattaya, Pattay, Thailand  จังหวัด/รัฐ  
Proceeding Paper Volume Proceeding Paper Issue
Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ Proceeding Paper Editors/edition/publisher Monai Krairiksh 
การประเมินบทความ (Peer Review) มีผู้ประเมินอิสระ  มีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ 
รูปแบบการนำเสนอ Oral  รูปแบบ Proceeding Full paper 

การเผยแพร่ในรูปการประชุมวิชาการ 4 (ร่วมเขียน)
ชื่อบทความที่เผยแพร่ Comparison on the performance of the confined-chacogenide with thin metal interlayer and optimised lateral phase change memories 
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ 12 ธันวาคม 2554 
ชื่อการประชุม The 18th IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems, ICECS 2011 
วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม 11 ธันวาคม 2554 ถึง 14 ธันวาคม 2554  หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม IEEE Circuits and Systems Society 
สถานที่จัดประชุม Crowne Plaza Hotel Beirut, Lebanon  จังหวัด/รัฐ  
Proceeding Paper Volume 18  Proceeding Paper Issue 978-1-4577-1844-1 
Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ 176 - 179  Proceeding Paper Editors/edition/publisher  
การประเมินบทความ (Peer Review) มีผู้ประเมินอิสระ  มีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ 
รูปแบบการนำเสนอ Oral  รูปแบบ Proceeding Full paper