| ชื่อบทความ |
Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Interlayer for Low Reset Current by Finite Element Modeling |
| วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ |
16 กันยายน 2551 |
| วารสาร |
| ชื่อวารสาร |
Solid State Phenomena |
| มาตรฐานของวารสาร |
|
| หน่วยงานเจ้าของวารสาร |
Trans Tech Publications, Switzerland |
| ISBN/ISSN |
1662-9779 |
| ปีที่ |
2009 |
| ฉบับที่ |
152-153 |
| เดือน |
|
| ปี พ.ศ. ที่พิมพ์ |
2552 |
| หน้า |
399-402 |
| บทคัดย่อ |
This paper reports on the confined-chalcogenide phase change memory with thin metal
interlayer (CCTMI) with the operating reset current of 0.6mA-30ns. This cell offers low reset
current with simple architecture and fabrication. Thermal and heat flux distribution of both the
normal-bottom-contact (NBC) and a proposed CCTMI PCM cells were carefully analyzed and
simulated by two-dimensional finite element modeling. It is intriguingly found that the reset
operation current of the CCTMI cell is 44% lower than that of the NBC. CCTMI has capability to
solve an over-programming fail issue due to confined heat dissipation in active area. |
| คำสำคัญ |
Phase change memory (PCM), Confined-chalcogenide phase change memory with thin metal interlayer (CCTMI), Normal bottom contact (NBC), Low reset current, Finite element. |
| ผู้เขียน |
|
| การประเมินบทความ |
มีผู้ประเมินอิสระ |
| สถานภาพการเผยแพร่ |
ตีพิมพ์แล้ว |
| วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
| citation |
ไม่มี |
| เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
| แนบไฟล์ |
|
|
ไฟล์ก่อนปรับปรุงเป็นแบบใหม่ |
|
| Citation |
0
|
|
|
ข้อมูลการเผยแพร่ผลงาน
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ
English