2012 ©
             ข้อมูลการเผยแพร่ผลงาน
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ
ชื่อบทความ Studying steady state one-dimensional p-n junction using finite element method 
วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ 1 มีนาคม 2553 
วารสาร
     ชื่อวารสาร KKU Research Journal 
     มาตรฐานของวารสาร  
     หน่วยงานเจ้าของวารสาร Khon Kaen University Khon Kaen, Thailand. 
     ISBN/ISSN 0859-3957 
     ปีที่ 15 
     ฉบับที่
     เดือน March
     ปี พ.ศ. ที่พิมพ์ 2553 
     หน้า 187-201 
     บทคัดย่อ We have implemented a computer program that solved semiconductor device equations using the finite element method. A set of three coupled equations, (i) Poisson's equation, (ii) electron continuity equation, and (iii) hole continuity equation were solved iteratively using Gummel's method. The numerical method used was based on the Galerkin finite element scheme. Upon finding the solutions, the algorithm provided us with important information relevant to semiconductor devices such as electric field, potential, and carrier concentration within the device. In addition, I-V characteristic for the semiconductor device could be calculated. We simulated a representative case: p-n junction diode. The results were in good agreement with previously published studies by De Mari. 
     คำสำคัญ finite element method, p-n junction, Gummel's method 
ผู้เขียน
505020145-2 นาย อดินันท์ เจ๊ะซู [ผู้เขียนหลัก]
คณะวิทยาศาสตร์ ปริญญาโท ภาคปกติ

การประเมินบทความ มีผู้ประเมินอิสระ 
สถานภาพการเผยแพร่ ตีพิมพ์แล้ว 
วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ ชาติ 
citation มี 
เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ เป็น 
แนบไฟล์
Citation 0