ชื่อบทความ |
Effects of sintering temperature on microstructure and giant dielectric properties of (V + Ta) coedoped TiO2 ceramics |
วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ |
13 กรกฎาคม 2560 |
วารสาร |
ชื่อวารสาร |
Journal of Alloys and Compounds |
มาตรฐานของวารสาร |
ISI |
หน่วยงานเจ้าของวารสาร |
elsevier |
ISBN/ISSN |
|
ปีที่ |
2017 |
ฉบับที่ |
725 |
เดือน |
18 July 2017 |
ปี พ.ศ. ที่พิมพ์ |
2560 |
หน้า |
310-317 |
บทคัดย่อ |
The influences of sintering temperature on the microstructure and giant dielectric properties of a new
co-doped TiO2 system, i.e., V and Ta co-doped TiO2, were investigated. The grain size of (V1/2Ta1/
2)0.01Ti0.99O2 ceramics was enlarged with increasing sintering temperature. Dense microstructure and
homogeneous dispersion of dopants were achieved in the ceramics sintered at 1400e1500 C for 5 h. The
dielectric permittivity in the frequency range 40e106 Hz of the (V1/2Ta1/2)0.01Ti0.99O2 ceramics significantly
increased with the mean grain size, while the dielectric loss tangent was reduced to 0.033 at
102 Hz. Furthermore, the high-temperature stability of the dielectric permittivity was improved with
increasing mean grain size. The electrically heterogeneous microstructure consisting of semiconducting
grains and insulating grain boundaries and/or surface layers was confirmed using impedance spectroscopy.
The conduction inside the semiconducting grains was attributed to electron hopping between
Ti4þ and Ti3þ, which was confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy. Very high resistivity with a
large conduction activation energy of the insulating parts was suggested as the primary cause of the
giant dielectric permittivity with low loss tangent. |
คำสำคัญ |
Rutile TiO2 Giant dielectric permittivity Impedance spectroscopy Ceramic microstructure X-ray photoelectron spectroscopy Grain size |
ผู้เขียน |
|
การประเมินบทความ |
มีผู้ประเมินอิสระ |
สถานภาพการเผยแพร่ |
ตีพิมพ์แล้ว |
วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
citation |
ไม่มี |
เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
แนบไฟล์ |
|
Citation |
0
|
|