2012 ©
             ข้อมูลการเผยแพร่ผลงาน
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ
ชื่อบทความที่เผยแพร่ Giant dielectric properties with excellent temperature stability of (Ga0.5Nb0.5)xTi1-xO2 ceramics  
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ 25 พฤษภาคม 2560 
การประชุม
     ชื่อการประชุม Siam physics congress 
     หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม Siam physics society 
     สถานที่จัดประชุม Rayong 
     จังหวัด/รัฐ Rayong 
     ช่วงวันที่จัดประชุม 24 พฤษภาคม 2560 
     ถึง 26 พฤษภาคม 2560 
Proceeding Paper
     Volume (ปีที่) 2016 
     Issue (เล่มที่)
     หน้าที่พิมพ์ 81 
     Editors/edition/publisher  
     บทคัดย่อ In this work, we investigate the giant dielectric properties of (Ga0.5Nb0.5)xTi1-xO2(where x=0.01, 0.025, 0.05 and 0.1) prepared by a solid state reaction method.The phase composition,microstructure,and oxidation statesare characterized by X-ray diffraction, field-emission scanning electron microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy, respectively.The single phase of rutile-TiO2with dense microstructure are obtained in all sintered (Ga0.5Nb0.5)xTi1-xO2ceramics. The existence of Ti3+ and oxygen vacancies are confirmed. The dielectric constant increased with increasing co-doping (Ga+Nb)concentration. Excellent dielectric properties are obtained in the (Ga0.5Nb0.5)xTi1-xO2ceramic with x= 0.1 sintered at 1550oC for 1h.Low dielectric loss tangent (< 0.05) and very large dielectric constant (e = 41267) with excellent temperature coefficient (<􀀀15%) in the range of -70 to 170 oC are achieved. The giant dielectric response over a broad temperature range of the (Ga0.5Nb0.5)xTi1- xO2ceramics is primarily attributed to the interfacial polarization at internal insulating interfaces. 
ผู้เขียน
587020044-0 นาย วัฒนา ตุ่ยไชย [ผู้เขียนหลัก]
คณะวิทยาศาสตร์ ปริญญาเอก ภาคปกติ

การประเมินบทความ (Peer Review) ไม่มีผู้ประเมินอิสระ 
มีการเผยแพร่ในระดับ ชาติ 
รูปแบบ Proceeding Abstract 
รูปแบบการนำเสนอ Oral 
เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ เป็น 
ผลงานที่นำเสนอได้รับรางวัล ไม่ได้รับรางวัล 
แนบไฟล์
Citation 0