ชื่อบทความที่เผยแพร่ |
Nonlinear Electrical Properties and Enhanced Dielectric Permittivity with Suppressed Loss Tangent in (Al1/2Ta1/2)xTi1-xO2 Ceramics |
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ |
28 พฤษภาคม 2561 |
การประชุม |
ชื่อการประชุม |
2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference |
หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม |
IFAAP Hiroshima |
สถานที่จัดประชุม |
International Conference Center at Hiroshima |
จังหวัด/รัฐ |
Hiroshima |
ช่วงวันที่จัดประชุม |
27 พฤษภาคม 2561 |
ถึง |
1 มิถุนายน 2561 |
Proceeding Paper |
Volume (ปีที่) |
2018 |
Issue (เล่มที่) |
1 |
หน้าที่พิมพ์ |
54 |
Editors/edition/publisher |
|
บทคัดย่อ |
Recently, oxide materials with giant dielectric permittivity have found an important role in microelectronic devices and high density storage applications such as capacitors and memory devices [1,2]. Here, the giant dielectric properties of (Al1/2Ta1/2)xTi1-xO2 (ATTO) ceramics, which were prepared by a solid state reaction method. The microstructure analysis revealed that all sintered ceramics were highly dense. The effects of doping co-concentration and sintering temperature on the giant dielectric properties of ATTO ceramics were also studied. As illustrated in Fig. 1, the dielectric permittivity increased with increasing co-doping concentration. All sintered ceramics exhibited very high dielectric permittivity. Interestingly, low dielectric loss tangent (<0.05) was obtained. Furthermore, the nonlinear current-voltage properties were investigated as well. All sintered ceramic exhibited nonlinear current-voltage characteristic. The origin of the giant dielectric response in ATTO ceramics was described based on the interfacial polarization. |
ผู้เขียน |
|
การประเมินบทความ (Peer Review) |
ไม่มีผู้ประเมินอิสระ |
มีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
รูปแบบ Proceeding |
Abstract |
รูปแบบการนำเสนอ |
Poster |
เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
ผลงานที่นำเสนอได้รับรางวัล |
ไม่ได้รับรางวัล |
แนบไฟล์ |
|
Citation |
0
|
|