Research Title |
การปรับปรุงสมบัติทางไดอิเล็กตริกของวัสดุเซรามิก CaCu3Ti4O12 และการทำคอมโพสิตกับวัสดุเซรามิก กลุ่ม TiO2 |
Date of Distribution |
9 March 2018 |
Conference |
Title of the Conference |
การประชุมวิชาการเสนอผลงานวิจัยระดับบัณฑิตศึกษาแห่งชาติ ครั้งที่ 19 |
Organiser |
บัณฑิตวิทยาลัย มหาวิทยาลัยขอนแก่น |
Conference Place |
มหาวิทยาลัยขอนแก่น |
Province/State |
ขอนแก่น |
Conference Date |
9 March 2018 |
To |
9 March 2018 |
Proceeding Paper |
Volume |
2561 |
Issue |
- |
Page |
459-465 |
Editors/edition/publisher |
บัณฑิตวิทยาลัย มหาวิทยาลัยขอนแก่น |
Abstract |
ในงานวิจัยนี้ได้สังเคราะห์วัสดุเซรามิกมิกCaCu3Ti4O12(CCTO) และวัสดุเซรามิกเซรามิกคอมโพสิต CaCu3Ti4O12/(In0.5Nb0.5)xTi1-xO2 (CCTO/INTO) โดยใช้วิธีปฏิกิริยาสถานะของแข็ง และเผาผนึกที่อุณหภูมิ 1050oC เป็นเวลา 6 ชั่วโมง จากผลการทดลองพบว่าวัสดุเซรามิก CCTO มีขนาดเกรนโตว่าวัสดุเซรามิกคอมโพสิต CCTO/INTO นอกจากนี้โดยค่าคงที่ไดอิเล็กตริก(e¢) ที่ความถี่ 1kHz และที่อุณหภูมิห้องของวัสดุเซรามิก CCTO และ CCTO/INTO มีค่าเท่ากับ 118834 และ5954 ตามลำดับ ส่วนค่าแทนเจนต์ของการสูญเสียทางไดอิเล็กตริก (tand) มีค่า 0.239 และ 0.035 ตามลำดับ ดังนั้นในการเจือไอออน Nb5+ และ In3+ ในวัสดุ TiO2 ผสมกับวัสดุ CCTO เป็นผลทำให้ขนาดเกรน,ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก และค่าแทนเจนต์ของการสูญเสียทางไดอิเล็กตริกลดลง โดยพฤติกรรมการมีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกที่สูงของวัสดุเซรามิกสามารถอธิบายได้โดยใช้แบบจำลองตัวเก็บประจุไฟฟ้าแบบชั้นขวางกั้นภายใน โดยการเกิดโพลาไรเซชันทางไฟฟ้าที่ผิวรอยต่อของขอบเกรน และจากการศึกษาด้วยใช้เทคนิคทางอิมพีแดนซ์สามารถยืนยันได้ว่าขอบเกรนของวัสดุมีสมบัติทางไฟฟ้าเป็นฉนวนและภายในเกรนของวัสดุเป็นสารกึ่งตัวนำ |
Author |
|
Peer Review Status |
ไม่มีผู้ประเมินอิสระ |
Level of Conference |
ชาติ |
Type of Proceeding |
Full paper |
Type of Presentation |
Poster |
Part of thesis |
true |
Presentation awarding |
true |
Award Title |
เป็นผู้ได้รับรางวัลการนำเสนอผลงานวิจัยระดับบัณฑิตศึกษา ระดับดีเด่น |
Type of award |
รางวัลด้านวิชาการ วิชาชีพ |
Organiser |
บัณฑิตวิทยาลัย มหาวิทยาลัยขอนแก่น |
Date of awarding |
9 มีนาคม 2561 |
Attach file |
|
Citation |
0
|
|