ชื่อบทความที่เผยแพร่ |
Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Interlayer for Low Reset Current by Finite Element Modeling |
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ |
21 มิถุนายน 2551 |
การประชุม |
ชื่อการประชุม |
Moscow International Symposium on Magnetism (MISM) |
หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม |
Faculty of Physics, Moscow State University, Russia |
สถานที่จัดประชุม |
Faculty of Physics, Moscow State University M.V. Lomonosov MSU, Russia |
จังหวัด/รัฐ |
Moscow |
ช่วงวันที่จัดประชุม |
21 มิถุนายน 2551 |
ถึง |
25 มิถุนายน 2551 |
Proceeding Paper |
Volume (ปีที่) |
- |
Issue (เล่มที่) |
21PO-21-23 |
หน้าที่พิมพ์ |
182 |
Editors/edition/publisher |
N. Perov, V. Samsonova and A. Semisalova |
บทคัดย่อ |
|
ผู้เขียน |
|
การประเมินบทความ (Peer Review) |
มีผู้ประเมินอิสระ |
มีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
รูปแบบ Proceeding |
Abstract |
รูปแบบการนำเสนอ |
Poster |
เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ |
เป็น |
ผลงานที่นำเสนอได้รับรางวัล |
ไม่ได้รับรางวัล |
แนบไฟล์ |
|
ไฟล์ก่อนปรับปรุงเป็นแบบใหม่ |
|
Citation |
0
|
|