2012 ©
             ข้อมูลการเผยแพร่ผลงาน
การเผยแพร่ในรูปของบทความวารสารทางวิชาการ
ชื่อบทความที่เผยแพร่ Confined-Chalcogenide Based Double-Heater Phase Change Memory with Metal Oxide Capped for Low-Current Consumption 
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ 7 กรกฎาคม 2552 
การประชุม
     ชื่อการประชุม ITC-CSCC2009 
     หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม the IEICE (Engineering Sciences Society and Electronics Society), the IEEK, and the Electrical Engineering/Electronics, Computer, Telecommunications and Information Association,Thailand. 
     สถานที่จัดประชุม Jeju KAL Hotel, Jeju, Korea 
     จังหวัด/รัฐ  
     ช่วงวันที่จัดประชุม 5 กรกฎาคม 2552 
     ถึง 8 กรกฎาคม 2552 
Proceeding Paper
     Volume (ปีที่)
     Issue (เล่มที่)
     หน้าที่พิมพ์ 847-850 
     Editors/edition/publisher General Chair : Kukjin Chun (Seoul National University, Korea), General Co-Chairs : Masayoshi Ohashi (ATR Media Information Science Laboratories, Japan) and Masayoshi Ohashi (ATR Media Information Science Laboratories, Japan) 
     บทคัดย่อ Phase Change Memory (PCM) is an attractive nonvolatile memory technology which bears a large potential to become the unified solution for the miscellaneous demands of the future memory market. Lowering the large current requirement during reset operation is one of the most critical issues of future PCM technology. In this paper reports on the confined-chalcogenide based double heat phase change memory with metal oxide capping (CCPCMDHMOC) with the operating current less than 0.5mA-30ns. This cell offers a low reset current with simple architecture and fabrication. Thermal and heat flux distribution of both the confined-chalcogenide based single heater phase change memory with metal oxide capping (CCPCM-SHMOC) and a proposed CCPCMDHMOC cells were carefully analyzed and simulated by using finite element modeling based on electrothermal physics. It is intriguingly found that the reset current of the proposed cell is significantly reduced with double heater. Furthermore, the melting shapes and effect of quench speed on the memory cell is also discussed. 
ผู้เขียน
507040015-7 นาย สันชัย หาญสูงเนิน [ผู้เขียนหลัก]
คณะวิศวกรรมศาสตร์ ปริญญาเอก ภาคปกติ

การประเมินบทความ (Peer Review) มีผู้ประเมินอิสระ 
มีการเผยแพร่ในระดับ นานาชาติ 
รูปแบบ Proceeding Full paper 
รูปแบบการนำเสนอ Oral 
เป็นส่วนหนึ่งของวิทยานิพนธ์ เป็น 
ผลงานที่นำเสนอได้รับรางวัล ไม่ได้รับรางวัล 
แนบไฟล์
Citation 0