|
Record not found.
ประวัตินักศึกษาบัณฑิตวิทยาลัย
|
รหัสประจำตัวนักศึกษา |
507040015-7 |
ระดับการศึกษา |
ปริญญาเอก ภาคปกติ |
ชือนามสกุล(ไทย) |
นาย สันชัย หาญสูงเนิน |
ชือนามสกุล(อังกฤษ) |
Mr. SANCHAI HARNSOONGNOEN |
|
|
คณะ |
คณะวิศวกรรมศาสตร์ |
แผนการศึกษา |
วิศวกรรมไฟฟ้า แบบ 1(2) |
ความสามารถทาง ภาษาต่างประเทศ |
ผ่าน (ประกาศ บว.ฉบับที่ 98/53 ลงวันที่ 14 ก.ย.53) |
สถานภาพ |
40
สำเร็จการศึกษา
|
|
|
|
ชื่อดุษฎีนิพนธ์(ไทย) |
การศึกษาหน่วยความจำเปลี่ยนเฟสด้านการหาโครงสร้างที่เหมาะสมที่สุด การสร้างแบบจำลองทางไฟฟ้าและผลกระทบจากการคายประจุไฟฟ้าสถิต |
ชื่อดุษฎีนิพนธ์(อังกฤษ) |
OPTIMIZATION OF STRUCTURE DESIGN, ELECTRICAL MODELING, AND ESD EFFECTS OF PHASE CHANGE MEMORY |
รายละเอียด |
|
รายการติดตาม |
D
อนุมัติเค้าโครง
|
14 พฤษภาคม 2553 |
วันที่ได้รับอนุมัติเค้าโครงวิทยานิพนธ์ |
|
วันที่ส่งเล่มสมบูรณ์ |
5 เมษายน 2554 |
สถานะการส่งเล่ม |
สิ้นสุดการตรวจ น.ศ.รับไปเข้าเล่มแล้ว
D
|
A= นักศึกษารับกลับไปแก้ไขแล้ว, B=ให้นักศึกษารับกลับไปแก้ไข, C=ให้นักศึกษารับไปเข้าเล่ม, D=นักศึกษารับไปเข้าเล่มแล้ว
|
อาจารย์ที่ปรึกษา |
|
อาจารย์ที่ปรึกษาร่วม |
|
|
ชื่อบทความ |
OPTIMIZATION OF PHASE CHANGE MEMORY WITH THIN METAL INSERTED LAYER ON MATERIAL PROPERTIES |
ชื่อวารสาร |
International Journal of Modern Physics B (IJMPB) |
หน่วยงานเจ้าของวารสาร |
World Scientific Publishing Co. |
ISBN/ISSN |
online:1793-6578 , print:0217-9792 |
วัน/เดือน/ปี ที่ได้ตอบรับ |
30 September 2008 |
ปีที่ |
2009 |
ฉบับที่ |
17 |
เดือน |
July |
ปี ค.ศ. ที่พิมพ์ |
2009 |
หน้า |
3625-3630 |
การประเมินบทความ |
มีผู้ประเมินอิสระ |
สถานภาพการเผยแพร่ |
ตีพิมพ์แล้ว |
วารสารมีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
|
ชื่อผลงานที่นำเสนอ |
Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Interlayer for Low Reset Current by Finite Element Modeling |
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ |
21 มิถุนายน 2551 |
ชื่อการประชุม |
Moscow International Symposium on Magnetism (MISM) |
วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม |
21 มิถุนายน 2551 ถึง 25 มิถุนายน 2551 |
หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม |
Faculty of Physics, Moscow State University, Russia |
สถานที่จัดประชุม |
Faculty of Physics, Moscow State University M.V. Lomonosov MSU, Russia |
จังหวัด/รัฐ |
Moscow |
Proceeding Paper Volume |
- |
Proceeding Paper Issue |
21PO-21-23 |
Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ |
182 |
Proceeding Paper Editors/edition/publisher |
N. Perov, V. Samsonova and A. Semisalova |
การประเมินบทความ (Peer Review) |
มีผู้ประเมินอิสระ |
มีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
รูปแบบการนำเสนอ |
Poster |
รูปแบบ Proceeding |
Abstract |
|
ชื่อผลงานที่นำเสนอ |
Confined-Chalcogenide Based Double-Heater Phase Change Memory with Metal Oxide Capped for Low-Current Consumption |
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ |
7 กรกฎาคม 2552 |
ชื่อการประชุม |
ITC-CSCC2009 |
วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม |
5 กรกฎาคม 2552 ถึง 8 กรกฎาคม 2552 |
หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม |
the IEICE (Engineering Sciences Society and Electronics Society), the IEEK, and the Electrical Engineering/Electronics, Computer, Telecommunications and Information Association,Thailand. |
สถานที่จัดประชุม |
Jeju KAL Hotel, Jeju, Korea |
จังหวัด/รัฐ |
|
Proceeding Paper Volume |
- |
Proceeding Paper Issue |
- |
Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ |
847-850 |
Proceeding Paper Editors/edition/publisher |
General Chair : Kukjin Chun (Seoul National University, Korea), General Co-Chairs : Masayoshi Ohashi (ATR Media Information Science Laboratories, Japan) and Masayoshi Ohashi (ATR Media Information Science Laboratories, Japan) |
การประเมินบทความ (Peer Review) |
มีผู้ประเมินอิสระ |
มีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
รูปแบบการนำเสนอ |
Oral |
รูปแบบ Proceeding |
Full paper |
|
ชื่อผลงานที่นำเสนอ |
Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory with Thin Metal Oxide Interlayer for Low Reset Current Operation |
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ |
7 พฤษภาคม 2552 |
ชื่อการประชุม |
ECTI-CON 2009 |
วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม |
6 พฤษภาคม 2552 ถึง 9 พฤษภาคม 2552 |
หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม |
Electrical Engineering/Electronics, Computer, Telecommunications and Information Technology (ECTI) Association, Thailand. |
สถานที่จัดประชุม |
Ambassador City Jomtien Pattaya, Pattay, Thailand |
จังหวัด/รัฐ |
|
Proceeding Paper Volume |
- |
Proceeding Paper Issue |
- |
Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ |
- |
Proceeding Paper Editors/edition/publisher |
Monai Krairiksh |
การประเมินบทความ (Peer Review) |
มีผู้ประเมินอิสระ |
มีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
รูปแบบการนำเสนอ |
Oral |
รูปแบบ Proceeding |
Full paper |
|
ชื่อผลงานที่นำเสนอ |
Comparison on the performance of the confined-chacogenide with thin metal interlayer and optimised lateral phase change memories |
วัน/เดือน/ปี ที่เผยแพร่ |
12 ธันวาคม 2554 |
ชื่อการประชุม |
The 18th IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems, ICECS 2011 |
วัน/เดือน/ปี ที่จัดประชุม |
11 ธันวาคม 2554 ถึง 14 ธันวาคม 2554 |
หน่วยงาน/องค์กรที่จัดประชุม |
IEEE Circuits and Systems Society |
สถานที่จัดประชุม |
Crowne Plaza Hotel Beirut, Lebanon |
จังหวัด/รัฐ |
|
Proceeding Paper Volume |
18 |
Proceeding Paper Issue |
978-1-4577-1844-1 |
Proceeding Paper หน้าที่พิมพ์ |
176 - 179 |
Proceeding Paper Editors/edition/publisher |
|
การประเมินบทความ (Peer Review) |
มีผู้ประเมินอิสระ |
มีการเผยแพร่ในระดับ |
นานาชาติ |
รูปแบบการนำเสนอ |
Oral |
รูปแบบ Proceeding |
Full paper |
|
|
|
|
|